Numărul de produs al producătorului:
IPW60R018CFD7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW60R018CFD7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N CH
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 101A (Tc) 416W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
12804226
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW60R018CFD7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.91mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
251 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9901 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
416W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW60R018
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPW60R018CFD7XKSA1
SP001715618
448-IPW60R018CFD7XKSA1
IPW60R018CFD7XKSA1-DG
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP80N04S2H4AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFR3504TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRF3707STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
