Numărul de produs al producătorului:
IPS70R600P7SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS70R600P7SAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
177 Piese Noi Originale În Stoc
12818327
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS70R600P7SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
364 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
43W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPS70R600
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPS70R600P7SAKMA1
IPS70R600P7SAKMA1-DG
2156-IPS70R600P7SAKMA1
SP001499714
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
CSD13306WT
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
CSD17322Q5A
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON