Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP65R110CFDXKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R110CFDXKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
476 Piese Noi Originale În Stoc
12804151
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R110CFDXKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
277.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP65R110CFDXKSA2-DG
Fișe tehnice
IPP65R110CFDXKSA2
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPP65R110CFDXKSA2
SP001987346
IPP65R110CFDXKSA2-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCP099N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
390
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP099N60E-DG
PREȚ UNIC
2.76
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP34NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
969
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP34NM60ND-DG
PREȚ UNIC
5.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW65R110CFDFKSA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
208
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW65R110CFDFKSA2-DG
PREȚ UNIC
3.29
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
IRFR7446PBF
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
IRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3