Numărul de produs al producătorului:
IPW65R110CFDFKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
208 Piese Noi Originale În Stoc
12804537
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW65R110CFDFKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
277.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW65R110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPW65R110CFDFKSA2
SP001987370
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
IRF3415L
MOSFET N-CH 150V 43A TO262
IRFR9120NPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK