Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCP099N60E
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCP099N60E-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
390 Piese Noi Originale În Stoc
12836448
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCP099N60E Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® II
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3465 pF @ 380 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
357W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FCP099
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCP099N60E-DG
Fișe tehnice
FCP099N60E
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FCP099N60E-OS
ONSONSFCP099N60E
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP65R125C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
470
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP65R125C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.09
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SIHP28N65E-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHP28N65E-GE3-DG
PREȚ UNIC
2.49
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP34NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
969
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP34NM60ND-DG
PREȚ UNIC
5.81
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP30N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
5189
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP30N65M5-DG
PREȚ UNIC
3.17
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R099P6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R099P6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.69
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HUF76639S3ST-F085
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
AUIRFZ24NS
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
FDB24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
BSL207SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6