Numărul de produs al producătorului:
IPP65R095C7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R095C7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
362 Piese Noi Originale În Stoc
12804855
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R095C7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
128W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R095
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001080122
2156-IPP65R095C7XKSA1
INFINFIPP65R095C7XKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6616TR1
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
