Numărul de produs al producătorului:
IRF5806
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF5806-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventar:
12804858
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF5806 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
86mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
594 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Micro6™(TSOP-6)
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDC634P
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
5000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC634P-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRFI7536GPBF
MOSFET N-CH 60V 86A TO220
IPP60R520C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
