Numărul de produs al producătorului:
IRF6616TR1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6616TR1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12804856
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6616TR1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Ta), 106A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3765 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MX
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MX
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6616TR1TR
SP001530686
IRF6616TR1CT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRFI7536GPBF
MOSFET N-CH 60V 86A TO220
