Numărul de produs al producătorului:
IPP126N10N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP126N10N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12803894
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP126N10N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP126
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000683088
2156-IPP126N10N3GXKSA1
IPP126N10N3 G-DG
INFINFIPP126N10N3GXKSA1
IPP126N10N3 G
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTP6412ANG
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
114
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTP6412ANG-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
HUF75645P3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1488
DiGi NUMĂR DE PARTE
HUF75645P3-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN015-100P,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7793
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN015-100P,127-DG
PREȚ UNIC
1.06
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDP150N10
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
235
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDP150N10-DG
PREȚ UNIC
1.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK35E08N1,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
6
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK35E08N1,S1X-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF3704STRR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRFP4768PBF
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFB7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
