Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK35E08N1,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK35E08N1,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
6 Piese Noi Originale În Stoc
12890378
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK35E08N1,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
72W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK35E08
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK35E08N1
Informații suplimentare
Alte nume
TK35E08N1S1X
TK35E08N1S1X-DG
TK35E08N1,S1X(S
264-TK35E08N1,S1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN013-100PS,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
3262
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN013-100PS,127-DG
PREȚ UNIC
0.99
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP12CN10LGXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
886
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP12CN10LGXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF8010PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1428
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF8010PBF-DG
PREȚ UNIC
0.83
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPC8021-H(TE12LQ,M
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
TPCA8012-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
TK31N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
2SK2962,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD