NTP6412ANG

Numărul de produs al producătorului:

NTP6412ANG

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTP6412ANG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

114 Piese Noi Originale În Stoc

12938885

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTP6412ANG Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

18.2mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

100 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3500 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

167W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

NTP6412

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

NTP6412ANGOS

ONSONSNTP6412ANG

2156-NTP6412ANG-OS

NTP6412ANG-DG

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

Not Applicable

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTMFS4C028NT3G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN

renesas-electronics-america

UPA1803GR-9JG-E1-A

MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP

SSVD5804NT4G

MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

onsemi

NTMFS5C456NLT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN