Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP052N06L3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP052N06L3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
RFQ Online
12800859
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP052N06L3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 58µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8400 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP052
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP052N06L3GXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP052N06L3GXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPP052N06L3 G
IPP052N06L3 G-DG
448-IPP052N06L3GXKSA1
2156-IPP052N06L3GXKSA1
IPP052N06L3GXKSA1-DG
SP000680802
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN4R6-60PS,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7843
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN4R6-60PS,127-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFB3306PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5368
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB3306PBF-DG
PREȚ UNIC
0.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN3R0-60PS,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4251
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN3R0-60PS,127-DG
PREȚ UNIC
1.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF1405PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13312
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF1405PBF-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TSM190N08CZ C0G
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
4000
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM190N08CZ C0G-DG
PREȚ UNIC
1.76
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
BSS169L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD127N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3