IRFB3306PBF
Numărul de produs al producătorului:

IRFB3306PBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFB3306PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

5368 Piese Noi Originale În Stoc
13064037
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFB3306PBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFB3306

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
448-IRFB3306PBF
IRFB3306PBF-ND
SP001556002
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPD80R1K2P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

infineon-technologies

IPP65R600C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IPD06P004NATMA1

MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3

infineon-technologies

BSZ035N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON