Numărul de produs al producătorului:
BSS169L6327HTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS169L6327HTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
12800865
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS169L6327HTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 7 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
68 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSS169 L6327
BSS169 L6327-DG
BSS169L6327HTSA1TR
SP000247299
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSS169H6327XTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
115130
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS169H6327XTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.12
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD127N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
BUZ73
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
