Numărul de produs al producătorului:
BSS169H6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS169H6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
115130 Piese Noi Originale În Stoc
12798993
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS169H6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 7 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
68 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
BSS169
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSS169H6327XTSA1TR
SP000702572
BSS169 H6327DKR-DG
BSS169 H6327-DG
BSS169 H6327CT-DG
BSS169H6327XTSA1DKR
BSS169H6327XTSA1CT
BSS169 H6327DKR
BSS169 H6327TR
INFINFBSS169H6327XTSA1
BSS169 H6327
BSS169 H6327TR-DG
BSS169 H6327CT
2156-BSS169H6327XTSA1
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BTS282Z E3230
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
AUIRF2903ZSTRL
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
BSP299L6327HUSA1
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
