Numărul de produs al producătorului:
IPP023N10N5AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP023N10N5AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
13064116
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP023N10N5AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP023
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001120504
IPP023N10N5AKSA1-ND
448-IPP023N10N5AKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP023N10N5XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
443
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP023N10N5XKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFS3107TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IPA80R1K4CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
IPP70N12S311AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
