Numărul de produs al producătorului:
IPA80R1K4CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA80R1K4CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
13064118
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA80R1K4CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
31W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA80R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPA80R1K4CEXKSA1-IT
IFEINFIPA80R1K4CEXKSA1
SP001271052
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPA80R1K4CEXKSA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
485
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA80R1K4CEXKSA2-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP70N12S311AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IRF7406GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
IPSA70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
