Numărul de produs al producătorului:
IPP70N12S311AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP70N12S311AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Descriere detaliată:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
300 Piese Noi Originale În Stoc
13064119
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP70N12S311AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4355 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP70N12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001400096
2156-IPP70N12S311AKSA1
INFINFIPP70N12S311AKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7406GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
IPSA70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
IRF1324SPBF
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
