Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPD65R660CFDBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD65R660CFDBTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
RFQ Online
12801247
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD65R660CFDBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPD65R660CFDBTMA1-DG
Fișe tehnice
IPD65R660CFDBTMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPD65R660CFDBTMA1TR
IPD65R660CFD-DG
IPD65R660CFD
2156-IPD65R660CFDBTMA1
INFINFIPD65R660CFDBTMA1
SP000745024
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD11N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
98
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD11N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCD850N80Z
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
15910
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCD850N80Z-DG
PREȚ UNIC
0.96
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOD7S65
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
2492
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOD7S65-DG
PREȚ UNIC
0.58
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD9N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
685
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD9N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD65R660CFDATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1827
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD65R660CFDATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
BSS87E6327T
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
IPF13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3