Numărul de produs al producătorului:
STD9N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD9N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
685 Piese Noi Originale În Stoc
12872847
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD9N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
STD9
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15051-6
497-15051-2
-497-15051-1
-497-15051-2
497-15051-1
-497-15051-6
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCD4N60TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
10613
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCD4N60TM-DG
PREȚ UNIC
0.61
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN017-30LL,115
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
STW25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
STFH13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP