Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPD135N03LGXT
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD135N03LGXT-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
RFQ Online
12801258
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD135N03LGXT Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD135N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPD135N03LGXT-DG
Fișe tehnice
IPD135N03LGXT
Informații suplimentare
Alte nume
IPD135N03LGINDKR
IPD135N03LGINTR-DG
IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINTR
IPD135N03LGXTTR
IPD135N03LGINDKR-DG
IPD135N03LG
IPD135N03LGXTCT
IPD135N03LGINCT-DG
IPD135N03LGXTDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUD50N03-06AP-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4333
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUD50N03-06AP-E3-DG
PREȚ UNIC
0.58
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMN3016LK3-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
11562
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3016LK3-13-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD135N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
31780
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD135N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
BUK9214-30A,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
32336
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK9214-30A,118-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
IPB11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
IPD60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3