Numărul de produs al producătorului:
IPD135N03LGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD135N03LGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
31780 Piese Noi Originale În Stoc
12800484
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD135N03LGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD135
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD135N03L G
SP000796912
IPD135N03L GDKR-DG
IPD135N03L GCT-DG
IPD135N03L GDKR
IPD135N03LGATMA1DKR
IPD135N03L GCT
IPD135N03L GTR
IPD135N03LGATMA1TR
IPD135N03L GTR-DG
IPD135N03LGATMA1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON