Numărul de produs al producătorului:
IPB65R125C7ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB65R125C7ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12800942
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB65R125C7ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ C7
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
101W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPB65R125C7ATMA1
SP001080134
INFINFIPB65R125C7ATMA1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB37N60DM2AG
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB37N60DM2AG-DG
PREȚ UNIC
3.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R125C7ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
998
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R125C7ATMA2-DG
PREȚ UNIC
2.13
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R080P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R080P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.18
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STB33N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB33N60M2-DG
PREȚ UNIC
2.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
IPB039N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
