Numărul de produs al producătorului:
IPB65R125C7ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB65R125C7ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
998 Piese Noi Originale În Stoc
12805192
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB65R125C7ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
101W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R125
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP002447564
IPB65R125C7ATMA2DKR
IPB65R125C7ATMA2CT
IPB65R125C7ATMA2TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB36NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB36NM60N-DG
PREȚ UNIC
3.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPW12N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
IRLU3114ZPBF
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
IRFH7923TRPBF
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
