Numărul de produs al producătorului:
STB33N60M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB33N60M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12877817
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB33N60M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II Plus
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1781 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB33
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-14973-6
497-14973-1
497-14973-2
2156-STB33N60M2
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R099CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1212
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R099CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
3.99
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
STP12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
