Numărul de produs al producătorului:
IPA50R650CEXKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA50R650CEXKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 4.6A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventar:
12799566
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA50R650CEXKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
342 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
27.2W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPA50R650CEXKSA2
INFINFIPA50R650CEXKSA2
SP001217232
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK9A55DA(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
