Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPA65R190C6XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA65R190C6XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Inventar:
RFQ Online
12799583
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA65R190C6XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-111
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPA65R190C6XKSA1-DG
Fișe tehnice
IPA65R190C6XKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPA65R190C6-DG
INFINFIPA65R190C6XKSA1
IPA65R190C6
SP000863892
2156-IPA65R190C6XKSA1-IT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF28N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
423
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF28N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF28N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
991
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF28N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK16A60W5,S4VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK16A60W5,S4VX-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF20N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
303
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF20N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
46
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENX-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
IPA50R500CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
BSZ036NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
BSC034N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON