Numărul de produs al producătorului:
IMW120R350M1HXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IMW120R350M1HXKSA1-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
1216 Piese Noi Originale În Stoc
12799581
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IMW120R350M1HXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
455mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
182 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IMW120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001808376
2156-IMW120R350M1HXKSA1-448
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
IPA50R500CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
