Numărul de produs al producătorului:
SIHH14N65EF-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHH14N65EF-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
13009932
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHH14N65EF-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
271mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1749 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
SIHH14
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM110P04-04L-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8