Numărul de produs al producătorului:
SUM110P04-04L-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUM110P04-04L-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12214 Piese Noi Originale În Stoc
13010043
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUM110P04-04L-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SUM110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
SUM40012EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
