Numărul de produs al producătorului:
SIA459EDJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
15828 Piese Noi Originale În Stoc
13008977
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA459EDJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
885 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA459
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
