Numărul de produs al producătorului:
SI7491DP-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7491DP-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
13056831
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7491DP-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7491
Informații suplimentare
Alte nume
SI7491DP-T1-E3DKR
SI7491DP-T1-E3TR
SI7491DP-T1-E3CT
SI7491DPT1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMP3012LPS-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMP3012LPS-13-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SI7149ADP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
54556
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7149ADP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.27
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4463BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
SI4176DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI7898DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
