SI7149ADP-T1-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SI7149ADP-T1-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI7149ADP-T1-GE3-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

54556 Piese Noi Originale În Stoc
12915087
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI7149ADP-T1-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5125 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7149

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SI7149ADP-T1-GE3TR
SI7149ADP-T1-GE3CT
SI7149ADP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFR9220

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay-siliconix

SI4470EY-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9014TRPBF

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

vishay-siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO