Numărul de produs al producătorului:
SI5459DU-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5459DU-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventar:
2267 Piese Noi Originale În Stoc
13056486
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5459DU-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
665 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pachet / Carcasă
PowerPAK® ChipFET™ Single
Numărul de bază al produsului
SI5459
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI5459DU-T1-GE3DKR
SI5459DUT1GE3
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
SI1405DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
