Numărul de produs al producătorului:
SI4434DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4434DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 2.1A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
8790 Piese Noi Originale În Stoc
13056737
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4434DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.56W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4434
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4434DYT1E3
SI4434DY-T1-E3DKR
SI4434DY-T1-E3TR
SI4434DY-T1-E3CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS2734
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
12237
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS2734-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI2308DS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
SI7491DP-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI4463BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO