Numărul de produs al producătorului:
SUP90P06-09L-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP90P06-09L-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 90A (Tc) 2.4W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
3601 Piese Noi Originale În Stoc
12786928
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP90P06-09L-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP90P0609LE3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM90N08-4M8P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
SQD40030E_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
SUP85N15-21-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
