Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SUP85N15-21-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP85N15-21-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 85A (Tc) 2.4W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12786936
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP85N15-21-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.4W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP85
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
SUP85N15-21
Packaging Information
Informații suplimentare
Alte nume
SUP85N15-21-E3CT-DG
SUP85N1521E3
SUP85N15-21-E3TR-DG
SUP85N15-21-E3TR
SUP85N15-21-E3TRINACTIVE
SUP85N15-21-E3CT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4228PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
979
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4228PBF-DG
PREȚ UNIC
1.84
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP200N15N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
10256
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP200N15N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFP102N15T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP102N15T-DG
PREȚ UNIC
3.80
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFP76N15T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
44
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP76N15T2-DG
PREȚ UNIC
2.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4321PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
228
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4321PBF-DG
PREȚ UNIC
1.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISH106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
SIHP186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
SIHFL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223