Numărul de produs al producătorului:
SUP90142E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP90142E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12918016
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP90142E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
ThunderFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
31200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP90142
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUP85N03-04P-E3
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
SQM50P04-09L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
SIB422EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
