Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SUP85N03-04P-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP85N03-04P-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12918017
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP85N03-04P-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP85
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SUP85N03-04P-E3-DG
Fișe tehnice
SUP85N03-04P-E3
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN4R3-30PL,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4699
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN4R3-30PL,127-DG
PREȚ UNIC
0.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRLB8748PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4637
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLB8748PBF-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDP8030L
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
6859
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDP8030L-DG
PREȚ UNIC
4.70
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP042N03LGXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
238
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP042N03LGXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.49
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRL7833PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
518
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRL7833PBF-DG
PREȚ UNIC
0.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQM50P04-09L_GE3
MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
SIB422EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
SI7116DN-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
SI5480DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK