Numărul de produs al producătorului:
SUP75P05-08-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP75P05-08-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 55V 75A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 55 V 75A (Tc) 3.7W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12915988
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP75P05-08-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP75
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP75P05-08-E3CT
SUP75P05-08-E3CT-DG
SUP75P0508E3
SUP75P05-08-E3TRINACTIVE
SUP75P05-08-E3TR-DG
SUP75P05-08-E3TR
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUP90P06-09L-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
3601
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUP90P06-09L-E3-DG
PREȚ UNIC
2.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQR50N04-3M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
BUK752R7-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
