Numărul de produs al producătorului:
SUP50N03-5M1P-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUP50N03-5M1P-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12787731
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUP50N03-5M1P-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SUP50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUP50N03-5M1P-GE3CT-DG
SUP50N03-5M1P-GE3CT
SUP50N035M1PGE3
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP042N03LGXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
238
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP042N03LGXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.49
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRL7833PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
518
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRL7833PBF-DG
PREȚ UNIC
0.71
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQP120P06-6M7L_GE3
MOSFET P-CH 60V TO220AB
VP0808B-E3
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
VP1008B
MOSFET P-CH 100V 790MA TO39
