Numărul de produs al producătorului:
SIHB22N60AEL-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHB22N60AEL-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
77 Piese Noi Originale În Stoc
12787744
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHB22N60AEL-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
EL
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1757 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SIHB22
Informații suplimentare
Alte nume
SIHB22N60AEL-GE3CT-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKR
SIHB22N60AEL-GE3CT
SIHB22N60AEL-GE3DKR-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TR
SIHB22N60AEL-GE3TR-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6020KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1540
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020KNJTL-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
