Numărul de produs al producătorului:
SQS840EN-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQS840EN-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
1863 Piese Noi Originale În Stoc
12786865
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQS840EN-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1031 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SQS840
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQS840EN-T1_BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5968
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQS840EN-T1_BE3-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
SIR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
