Numărul de produs al producătorului:
SQD50N06-09L_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQD50N06-09L_GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
4440 Piese Noi Originale În Stoc
12786089
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQD50N06-09L_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3065 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SQD50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SQD50N06-09L_GE3CT
SQD50N06-09L_GE3TR
SQD50N06-09L_GE3DKR
SQD50N06-09L-GE3
SQD50N06-09L-GE3-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHU6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SUM90N08-6M2P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
