Numărul de produs al producătorului:
SIHU6N62E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHU6N62E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventar:
3000 Piese Noi Originale În Stoc
12786100
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHU6N62E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
620 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
578 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK (TO-251)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
SIHU6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIHU6N62E-GE3DKR
SIHU6N62E-GE3DKRINACTIVE
SIHU6N62E-GE3CT-DG
SIHU6N62E-GE3TR
SIHU6N62E-GE3CT
SIHU6N62E-GE3TRINACTIVE
SIHU6N62E-GE3TR-DG
SIHU6N62E-GE3DKR-DG
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SUM90N08-6M2P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
SQM50028EM_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7