Numărul de produs al producătorului:
SQD100N02_3M5L4GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQD100N02_3M5L4GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
13277376
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQD100N02_3M5L4GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
SQD100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SQD100N02_3M5L4GE3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQD100N02-3M5L_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1594
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQD100N02-3M5L_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
SIB422EDK-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
SQD23N06-31L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA