Numărul de produs al producătorului:
SIB422EDK-T4-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIB422EDK-T4-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 7.1A (Ta), 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventar:
13277378
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIB422EDK-T4-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.1A (Ta), 9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-75-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-75-6
Numărul de bază al produsului
SIB422
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIB422EDK-T4-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQD23N06-31L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA
SQD25N15-52-T4_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
SIHF9540S-GE3
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK