Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SQ9945BEY-T1_GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SQ9945BEY-T1_GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 5.4A 4W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12920288
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SQ9945BEY-T1_GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.4A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Putere - Max
4W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SQ9945
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
SQ9945BEY-T1-GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SQ9945BEY-T1_GE3TR
SQ9945BEY-T1_GE3DKR
SQ9945BEY-T1_GE3CT
SQ9945BEY-T1-GE3
SQ9945BEY-T1-GE3-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMN6066SSD-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
14473
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN6066SSD-13-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STS4DNF60L
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
10803
DiGi NUMĂR DE PARTE
STS4DNF60L-DG
PREȚ UNIC
0.90
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SQ9945BEY-T1_BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4325
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQ9945BEY-T1_BE3-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
TSM4946DCS RLG
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
2324
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM4946DCS RLG-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4388DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
SI7220DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
SI7946DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
SI3981DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP