Numărul de produs al producătorului:
SI7946DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7946DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventar:
12920336
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7946DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.1A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.4W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8 Dual
Numărul de bază al produsului
SI7946
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7946DP-T1-GE3TR
SI7946DP-T1-GE3CT
SI7946DPT1GE3
SI7946DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI7956DP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
6414
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7956DP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SI7946ADP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7946ADP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.87
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3981DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
SQ3985EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SI3951DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6TSOP
