Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI3951DV-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3951DV-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.7A 2W Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
RFQ Online
12920482
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3951DV-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.1nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Numărul de bază al produsului
SI3951
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI3951DV-T1-E3-DG
Fișe tehnice
SI3951DV-T1-E3
Informații suplimentare
Alte nume
SI3951DV-T1-E3CT
SI3951DV-T1-E3TR
SI3951DV-T1-E3DKR
SI3951DVT1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDC6310P
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
7945
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC6310P-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SI3993CDV-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
50318
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI3993CDV-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDC6312P
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
7879
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC6312P-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7983DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
SI9933BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC
SI4622DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SIZ790DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6PWRPAIR